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標題: [轉貼]中科砷污染事件說明 [列印本頁]

作者: matika 時間: 2007-8-15 10:42
標題: [轉貼]中科砷污染事件說明
這是真的嗎? 好可怕啊~

http://e-info.org.tw/node/19619

作者: chihyi 時間: 2007-8-16 09:54
標題: Re: [轉貼]中科砷污染事件說明
好可怕..想到我在中科那附近待了六年..

不知道吸了多少了...囧rz

從最近環保單位對台塑麥寮用水超量的處理態度來看..

這篇真實性應該蠻高的..反正先拼經濟吧..人民死一死也是好多年後的事了..

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從另一個角度來看..現在改行來賣騙錢吃不死人保健食品..好像不錯啊..

作者: lifaung 時間: 2007-8-16 10:47
標題: Re: [轉貼]中科砷污染事件說明
新竹也好不到哪去

這些砷應該不是因為排放廢氣而出來的
有可能是經過燃燒器後排放的
AsH3這種東西碰到氧氣就會開始燃燒(空氣中含量0.3%就會自動燃燒),所以也沒有某人部落格寫的這麼扯
但是會有較高濃度的As被找到,還是應該注意一下廠商那裏要怎麼解決就是了
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其實要防止As溢出比較簡單的方法是在scrubber後面過水就可以,但是問題會更嚴重的是......水排去哪XD
排到地下水裡面,那就更糟糕

AsH3通常是作參雜的東西,應該是作離子佈植的時候會用,另外可能使用的廠商有TFT廠,太陽能電池廠,半導體代工廠
AsH3在半導體工業裡應用很廣泛,但是在台灣並非管制毒化物(在大陸則屬於管制毒化物之一)

作者: jedij 時間: 2007-8-16 11:06
標題: Re: [轉貼]中科砷污染事件說明
TFT廠應該是沒有，
（閘層是非晶系，接觸層是磷摻雜）
太陽能電池廠就不甚清楚，
應該是更不需要…

作者: lifaung 時間: 2007-8-16 11:39
標題: Re: [轉貼]中科砷污染事件說明
有用矽晶圓的就很有可能有,TFT則是可能有,可能沒有
太陽能電池用矽晶圓的不少,而薄膜型的製程則和TFT類似

As是摻雜用材料之一,可以取代磷化氫
磷化氫本身是管制物品,所以部分廠商和學校會用As來作摻雜
如果有作GaAs的話,那也可能會有As的廢料出現
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上面有點剛剛弄錯了
AsH3碰到空氣會燃燒的濃度是5.1%
PH3碰到空氣自燃的濃度則是1.32%
另一種經常使用的則是B2H6,自燃濃度為0.84%

其中,最毒的應該是PH3

作者: ankrro 時間: 2008-2-12 18:46
標題: Re: [轉貼]中科砷污染事件說明
這篇文章很久了
但是最近我才看到
其實這些市我每天接觸到的東西
要說毒是真的很毒
但是這就是可怕的地方
因為他是長時間的累積
不是立即(除非GAS LEAK,LEAK 了也不會讓你知道)
的產生影響
但看看那些生成物還真的非常恐怖
說沒有砷污染
也會有其他污染
(因為半導體跟LCD等等都是用特氣也就是
Special Gas在晶圓上或玻璃基板上來做沉積長膜蝕刻等製程)
scrubber排掉的我很懷疑(scrubber有分藥劑跟燃燒,但是處理後
排到酸排之後呢?.....
因為FTIR(檢測)方式以處理量計
廠商也可能將大量氮氣灌入稀釋
造成處理效率高的假象

雖然這樣但為了生活
還是不得不在這樣的環境下討生活

作者: ccc1969 時間: 2008-2-13 14:51
標題: Re: [轉貼]中科砷污染事件說明
想不到在PIL還是又看到這則新聞。
很早以前就有訂閱環境資訊中心的電子報，
每天大量的環境資訊大量襲來，在這裡還是看到了。

本想給makita加分，卻不知道加分的原因到底該填甚麼.......

也建議各位訂閱行政院公報，點這裡。

對不起，我胡言亂語了。

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